CVD氣相沉積的優(yōu)點和技術的基本要求概述

更新時間：2023-06-27 點擊次數(shù)：1068

    CVD氣相沉積指把含有構成薄膜元素的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發(fā)生化學反應生成薄膜的過程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經(jīng)過CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產(chǎn)生的刮痕。

    CVD氣相沉積的優(yōu)點：

    1、沉積成膜裝置簡單；

    2、與直接蒸發(fā)法相比，可在大大低于其熔點或分解溫度的沉積溫度下制造耐熔金屬和各種碳化物、氮化物、硼化物、硅化物和氧化物薄膜；

    3、成膜所需的反應源材料一般比較容易獲得，而且制備通一種薄膜可以選用不同的化學反應;有意識的改變和調(diào)節(jié)反應物的成分，又能方便的控制薄膜的成分和特性，因此靈活性較大；

    4、特別適用于在形狀復雜的零件表面和內(nèi)孔鍍膜。

    CVD氣相沉積技術的基本要求：

    使用CVD技術沉積目標產(chǎn)物時，其目標產(chǎn)物、原材料及反應類型的選擇通常要遵循以下3項原則：

    (1)原材料在較低溫度下應具有較高的蒸氣壓且易于揮發(fā)成蒸汽并具有很高的純度，簡而言之原材料揮發(fā)成氣態(tài)的溫度不宜過高，一般化學氣相沉積溫度都在1000℃以下。

    (2)通過反應類型和原材料的選擇盡量避免副產(chǎn)物的生成，若有副產(chǎn)物的存在，在反應溫度下副產(chǎn)物應易揮發(fā)為氣態(tài)，這樣易于排出或分離。

    (3)盡量選擇沉積溫度低的反應沉積目標產(chǎn)物，因大多數(shù)基體材料無法承受CVD的高溫。

    (4)反應過程盡量簡單易于控制。

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