PECVD等離子體增強氣相沉積技術(shù)的特點：

    由CVD技術(shù)所形成的膜層致密且均勻，膜層與基體的結(jié)合牢固，薄膜成分易控，沉積速度快，膜層質(zhì)量也很穩(wěn)定，某些特殊膜層還具有優(yōu)異的光學、熱學和電學性能，因而易于實現(xiàn)批量生產(chǎn)。

    但是，CVD的沉積溫度通常很高，在900℃～2000℃之間，容易引起零件變形和組織上的變化，從而降低機體材料的機械性能并削弱機體材料和鍍層間的結(jié)合力，使基片的選擇、沉積層或所得工件的質(zhì)量都受到限制。

    目前，CVD技術(shù)正朝著中、低溫和高真空兩個方向發(fā)展，并與等離子體、激光、超聲波等技術(shù)相結(jié)合，形成了許多新型的CVD技術(shù)。

    基本原理可分三個工藝步驟：

    （1）鍍料的氣化：即使鍍料蒸發(fā)，異華或被濺射，也就是通過鍍料的氣化源。

    （2）鍍料原子、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞后，產(chǎn)生多種反應。

    （3）鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。